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    半導體技術雜志

    半導體技術雜志北大期刊統(tǒng)計源期刊

    Semiconductor Technology

    主管單位:中國電子科技集團公司 主辦單位:中國電子科技集團公司第十三研究所

    • 審稿周期

      1-3個月

    • 影響因子

      0.57

    • 發(fā)文量

      2255

    • 總被引次數(shù)

      7023

    • 全年訂價

      ¥ 316.00

    • H指數(shù)

      22

    • 立即指數(shù)

      0.0356

    • 引用半衰期

      3.625

    • 期刊他引率

      0.8215

    • 平均引文率

      6.5067

    基本信息:
    ISSN:1003-353X
    CN:13-1109/TN
    郵發(fā)代號:18-65
    主編:趙小寧
    郵編:50051
    出版信息:
    出版地區(qū):河北
    出版周期:月刊
    出版語言:中文
    創(chuàng)刊時間:1976
    類別:電子
    收錄信息:
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    榮譽信息:
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    期刊介紹 歷史收錄 投稿須知 評價報告 文獻分析 發(fā)文分析 期刊文獻 常見問題

    半導體技術期刊介紹

    《半導體技術》是由中國電子科技集團公司第十三研究所主辦,中國電子科技集團公司主管的全國性電子類期刊,創(chuàng)刊于1976年,刊號(CN 13-1109/TN,ISSN 1003-353X),郵發(fā)代號:18-65,全年定價:316.00元/期,月刊。該雜志以刊登電子科學論文、評價電子科研成果、探討電子教學規(guī)律、傳播電子教學經(jīng)驗、開展電子學術討論、報道電子研究動態(tài)、提供國內(nèi)外電子信息為主旨,引領電子前沿和熱難點問題研究,助電子經(jīng)學者成長。該刊級別為北大期刊,統(tǒng)計源期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

    《半導體技術》期刊欄目主要有:趨勢與展望 半導體集成電路 半導體器件 半導體制備技術 先進封裝技術

    半導體技術歷史收錄情況

    • 北大核心期刊(2023版)
    • 北大核心期刊(2020版)
    • 北大核心期刊(2017版)
    • 北大核心期刊(2014版)
    • 北大核心期刊(2011版)
    • 北大核心期刊(2008版)
    • 北大核心期刊(2004版)
    • 北大核心期刊(2000版)
    • 北大核心期刊(1996版)
    • 北大核心期刊(1992版)
    • 中國科技核心期刊
    • 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-擴展(2017-2018)
    • 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-擴展(2015-2016)
    • 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-擴展(2013-2014)
    • 中國科學引文數(shù)據(jù)庫-擴展(2011-2012)
    • 日本科學技術振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫
    • 科學文摘數(shù)據(jù)庫
    • 化學文摘(網(wǎng)絡版)
    • 文摘雜志

    半導體技術投稿須知

    (1)因匿名評審需要,正文部分不得出現(xiàn)與作者有關的任何信息。

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    (5)注釋是對文中某一內(nèi)容的解釋或補充說明,用數(shù)字加圓圈標注(如①、②……)置于文末。

    半導體技術期刊評價報告

    年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
    影響因子 0.22 0.28 0.28 0.31 0.4 0.47 0.57 0.49
    立即指數(shù) 0.08 0.06 0.1 0.11 0.1 0.09 0.13 0.06
    發(fā)文量 170 176 162 151 161 150 152 150
    引用半衰期 5.38 5.91 4.43 4.89 3.86 4.93 4.75 4.62
    被引半衰期 6.78 6.4 7.04 7.32 7.01 6.78 5.18 6.09
    被引次數(shù) 633 562 608 578 621 688 659 659
    期刊他引率 0.88 0.86 0.88 0.89 0.86 0.81 0.79 0.9
    平均引文率 13.3 14.6 17.5 17.1 16.1 19.8 19.5 19

    半導體技術文獻分析

    1、主要引證文獻期刊分析

    序號 期刊 涉及文獻量
    1 《微電子學》 205
    2 《電子與封裝》 204
    3 《微納電子技術》 165
    4 《現(xiàn)代電子技術》 155
    5 《電子元件與材料》 153
    6 《固體電子學研究與進展》 146
    7 《電子器件》 145
    8 《電子工業(yè)專用設備》 128
    9 《電子設計工程》 121
    10 《半導體光電》 99

    2、主要參考文獻期刊分析

    序號 期刊 涉及文獻量
    1 《Journal of Semiconductors》 354
    2 《微電子學》 243
    3 《固體電子學研究與進展》 222
    4 《物理學報》 184
    5 《微納電子技術》 162
    6 《電子與封裝》 125
    7 《半導體光電》 110
    8 《電子器件》 106
    9 《電子元件與材料》 97
    10 《電子工業(yè)專用設備》 94

    半導體技術主要發(fā)文機構(gòu)分析

    序號 機構(gòu)名稱 發(fā)文量 相關發(fā)文主題
    1 中國電子科技集團第十三研究所 715 電路;晶體管;集成電路;單片;放大器
    2 河北工業(yè)大學 261 CMP;化學機械拋光;機械拋光;拋光液;拋光
    3 中國科學院 254 半導體;電路;激光;激光器;晶體管
    4 中國科學院微電子研究所 216 電路;晶體管;放大器;功耗;低功耗
    5 清華大學 177 電路;集成電路;封裝;半導體;芯片
    6 復旦大學 161 電路;集成電路;封裝;有限元;芯片
    7 北京工業(yè)大學 136 晶體管;可靠性;異質(zhì)結(jié);二極管;雙極晶體管
    8 西安電子科技大學 110 電路;集成電路;放大器;晶體管;轉(zhuǎn)換器
    9 電子科技大學 102 電路;集成電路;放大器;單片;晶體管
    10 華南理工大學 100 電路;晶體管;封裝;半導體;可靠性

    半導體技術期刊文獻

    • 超寬禁帶AlN材料及其器件應用的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢 作者:何君; 李明月;中國電子科技集團公司第十三研究所; 石家莊050051
    • 微電容超聲換能器的前端專用集成電路設計 作者:杜以恒; 何常德; 張文棟;中北大學儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室; 太原030051
    • 寄生電感對低壓增強型GaN HEMT開關行為的影響 作者:彭子和; 秦海鴻; 修強; 張英; 荀倩;南京航空航天大學自動化學院; 南京211106; 查爾姆斯理工大學電力工程系; 瑞典哥德堡999034
    • 高閾值電壓低界面態(tài)增強型Al2O3/GaN MIS-HEMT 作者:李茂林; 陳萬軍; 王方洲; 施宜軍; 崔興濤; 信亞杰; 劉超; 李肇基; 張波;電子科技大學電子科學與工程學院; 成都610054
    • MPS二極管的少子特性仿真 作者:孫霞霞; 汪再興; 劉曉忠; 鄭麗君; 王永順;蘭州交通大學電子與信息工程學院; 蘭州730070
    • 一種帶有注入增強緩沖層的4H-SiC GTO晶閘管 作者:高吳昊; 陳萬軍; 劉超; 陶宏; 夏云; 譙彬; 施宜軍; 鄧小川; 李肇基; 張波;電子科技大學電子科學與工程學院; 成都610054
    • 三維閃存中基于鎢互連的空氣隙結(jié)構(gòu)的制備工藝 作者:袁璐月; 劉峻; 范魯明; 郭安乾; 夏志良; 霍宗亮;中國科學院大學微電子學院; 北京100049; 中國科學院微電子研究所; 北京100029; 長江存儲科技責任有限公司; 武漢430205
    • 柵槽刻蝕工藝對增強型GaN HEMT器件性能的影響 作者:崔興濤; 陳萬軍; 施宜軍; 信亞杰; 李茂林; 王方洲; 周琦; 李肇基; 張波;電子科技大學電子科學與工程學院; 成都610054
    半導體技術雜志

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