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    半導(dǎo)體信息雜志

    半導(dǎo)體信息雜志部級(jí)期刊

    Semiconductor Information

    主管單位:中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專(zhuān)業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所 主辦單位:中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所

    • 審稿周期

      1個(gè)月內(nèi)

    • 影響因子

      0.01

    • 發(fā)文量

      1777

    • 總被引次數(shù)

      120

    • H指數(shù)

      3

    基本信息:
    郵編:210016
    出版信息:
    出版地區(qū):江蘇
    出版周期:雙月刊
    出版語(yǔ)言:中文
    創(chuàng)刊時(shí)間:1990
    類(lèi)別:電子
    收錄信息:
    查看更多
    期刊介紹 投稿須知 評(píng)價(jià)報(bào)告 文獻(xiàn)分析 發(fā)文分析 期刊文獻(xiàn) 常見(jiàn)問(wèn)題

    半導(dǎo)體信息期刊介紹

    《半導(dǎo)體信息》是由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件專(zhuān)業(yè)協(xié)會(huì) 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管的全國(guó)性電子類(lèi)期刊,創(chuàng)刊于1990年,雙月刊。該雜志以刊登電子科學(xué)論文、評(píng)價(jià)電子科研成果、探討電子教學(xué)規(guī)律、傳播電子教學(xué)經(jīng)驗(yàn)、開(kāi)展電子學(xué)術(shù)討論、報(bào)道電子研究動(dòng)態(tài)、提供國(guó)內(nèi)外電子信息為主旨,引領(lǐng)電子前沿和熱難點(diǎn)問(wèn)題研究,助電子經(jīng)學(xué)者成長(zhǎng)。該刊級(jí)別為部級(jí)期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

    《半導(dǎo)體信息》期刊欄目主要有:企業(yè)指南 國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件 市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

    半導(dǎo)體信息投稿須知

    (1)文末請(qǐng)附作者簡(jiǎn)介,注明姓名、工作單位、職務(wù)、聯(lián)系電話(huà)、聯(lián)系地址、郵政編碼等信息。

    (2)來(lái)稿內(nèi)容:標(biāo)題、作者、摘要、關(guān)鍵詞、正文、基金項(xiàng)目、注釋、參考文獻(xiàn)、作者簡(jiǎn)介。

    (3)題名:簡(jiǎn)明、具體、概括文章的要旨,一般不超過(guò)20個(gè)漢字。題名中應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語(yǔ)、字符、代號(hào)以及結(jié)構(gòu)公式。

    (4)采用順序編碼制著錄參考文獻(xiàn),依照其在正文中出現(xiàn)的先后順序,用阿拉伯?dāng)?shù)字加方括號(hào)標(biāo)出。參考文獻(xiàn)僅限作者親自閱讀過(guò)的主要文獻(xiàn),其中近5年內(nèi)的文獻(xiàn)應(yīng)占50%以上。

    (5)主要摘要文章運(yùn)用的主要研究方法和所得出的主要結(jié)論或闡發(fā)的主要觀點(diǎn),力求文字明確、簡(jiǎn)練,一般不超過(guò)200字。

    半導(dǎo)體信息期刊評(píng)價(jià)報(bào)告

    年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020
    影響因子 194 147 167 161 152 148
    立即指數(shù) 2 3.25 2.56 3.4 3.33 4.38
    發(fā)文量 0.008 0.013 0.021 0.016 0.018 0.003
    引用半衰期 0 0 0 0 0 0
    被引半衰期 -- -- -- -- -- --
    被引次數(shù) 0.005 0 0.006 0.006 0 0
    期刊他引率 -- -- -- -- -- --
    平均引文率 1 1 1 1 1 1

    半導(dǎo)體信息文獻(xiàn)分析

    1、主要引證文獻(xiàn)期刊分析

    序號(hào) 期刊 涉及文獻(xiàn)量
    1 《集成電路應(yīng)用》 12
    2 《新材料產(chǎn)業(yè)》 7
    3 《電子元器件與信息技術(shù)》 5
    4 《半導(dǎo)體技術(shù)》 4
    5 《電子制作》 4
    6 《車(chē)輛與動(dòng)力技術(shù)》 3
    7 《科學(xué)技術(shù)與工程》 3
    8 《電子測(cè)量技術(shù)》 3
    9 《現(xiàn)代電子技術(shù)》 2
    10 《材料與冶金學(xué)報(bào)》 2

    半導(dǎo)體信息主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析

    序號(hào) 機(jī)構(gòu)名稱(chēng) 發(fā)文量 相關(guān)發(fā)文主題
    1 信息產(chǎn)業(yè)部 1 用戶(hù)數(shù);知識(shí)產(chǎn)權(quán);司長(zhǎng);通信;通信產(chǎn)業(yè)

    半導(dǎo)體信息期刊文獻(xiàn)

    • 中國(guó)集成電路制造利好 重磅免稅政策
    • 中國(guó)高端芯片95%以上仍需進(jìn)口
    • 南京集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立
    • 設(shè)計(jì)新架構(gòu)研發(fā)新材料 美欲重振芯片產(chǎn)業(yè)
    • NXP推出5G用氮化鎵射頻功率產(chǎn)品WIN半導(dǎo)體公司推出0.45柵技術(shù)擴(kuò)展GaN代工工藝
    • 日本富士通公司采用AIGaN間隔層和InAIGaN阻擋層將GaNHEMT的輸出功率提高到19.9W/mm柵寬
    • 美國(guó)Integra技術(shù)公司推出敵我識(shí)別航空電子用高功率氮化鎵晶體管
    • 香港高校和臺(tái)灣公司合作將電容器集成到硅上P型氮化鎵柵極晶體管中顯著提高器件性能

    投稿常見(jiàn)問(wèn)題

    ,地址:南京市1601信箱43分箱(南京市中山東路524號(hào)),郵編:210016。本站僅做歷史信息展示,不提供任何服務(wù)。

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