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    Microelectronic Engineering

    Microelectronic EngineeringSCIE

    國際簡稱:MICROELECTRON ENG  參考譯名:微電子工程

    • 中科院分區(qū)

      4區(qū)

    • CiteScore分區(qū)

      Q2

    • JCR分區(qū)

      Q2

    基本信息:
    ISSN:0167-9317
    E-ISSN:1873-5568
    是否OA:未開放
    是否預(yù)警:否
    TOP期刊:否
    出版信息:
    出版地區(qū):NETHERLANDS
    出版商:Elsevier
    出版語言:English
    出版周期:Monthly
    出版年份:1983
    研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
    評價信息:
    影響因子:2.6
    H-index:89
    CiteScore指數(shù):5.3
    SJR指數(shù):0.503
    SNIP指數(shù):0.847
    發(fā)文數(shù)據(jù):
    Gold OA文章占比:15.94%
    研究類文章占比:91.00%
    年發(fā)文量:100
    自引率:0.0434...
    開源占比:0.0341
    出版撤稿占比:0
    出版國人文章占比:0.14
    OA被引用占比:0.1274...
    英文簡介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

    英文簡介Microelectronic Engineering期刊介紹

    Microelectronic Engineering is the premier nanoprocessing, and nanotechnology journal focusing on fabrication of electronic, photonic, bioelectronic, electromechanic and fluidic devices and systems, and their applications in the broad areas of electronics, photonics, energy, life sciences, and environment. It covers also the expanding interdisciplinary field of "more than Moore" and "beyond Moore" integrated nanoelectronics / photonics and micro-/nano-/bio-systems. Through its unique mixture of peer-reviewed articles, reviews, accelerated publications, short and Technical notes, and the latest research news on key developments, Microelectronic Engineering provides comprehensive coverage of this exciting, interdisciplinary and dynamic new field for researchers in academia and professionals in industry.

    期刊簡介Microelectronic Engineering期刊介紹

    《Microelectronic Engineering》自1983出版以來,是一本工程技術(shù)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果,并為工程技術(shù)各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺,以促進工程技術(shù)領(lǐng)域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見解,或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道工程技術(shù)領(lǐng)域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單,目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,得到了廣泛的認(rèn)可。

    該期刊投稿重要關(guān)注點:

    Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Microelectronic Engineering Cite Score數(shù)據(jù)

    • CiteScore:5.3
    • SJR:0.503
    • SNIP:0.847
    學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
    大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 127 / 434

    70%

    大類:Physics and Astronomy 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 68 / 224

    69%

    大類:Physics and Astronomy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 242 / 797

    69%

    大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 87 / 284

    69%

    大類:Physics and Astronomy 小類:Surfaces, Coatings and Films Q2 42 / 132

    68%

    CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ),針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來評價。

    歷年Cite Score趨勢圖

    中科院SCI分區(qū)Microelectronic Engineering 中科院分區(qū)

    中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū)
    工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),運用科學(xué)計量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標(biāo)準(zhǔn)。它為我國科研、教育機構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國各地高校、科研機構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

    中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次,類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始,這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

    歷年中科院分區(qū)趨勢圖

    JCR分區(qū)Microelectronic Engineering JCR分區(qū)

    2023-2024 年最新版
    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 157 / 352

    55.5%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

    33.2%

    學(xué)科:OPTICS SCIE Q2 45 / 119

    62.6%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 179

    55%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

    49.58%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 74 / 140

    47.5%

    學(xué)科:OPTICS SCIE Q3 64 / 120

    47.08%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

    51.12%

    JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻質(zhì)量進行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

    歷年影響因子趨勢圖

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計
    • 國家/地區(qū)數(shù)量
    • CHINA MAINLAND104
    • South Korea80
    • France56
    • USA47
    • Japan45
    • GERMANY (FED REP GER)41
    • India36
    • Taiwan31
    • Greece27
    • Italy27

    本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文

    • 1、Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures

      Author: Luan, Tiantian; Jiang, Qimeng; Huang, Sen; Wang, Xinhua; Jin, Hao; Guo, Fuqiang; Yao, Yixu; Fan, Jie; Yin, Haibo; Wei, Ke; Li, Yankui; Jiang, Haojie; Li, Junfeng; Liu, Xinyu

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111916

    • 2、Soybean-based memristor for multilevel data storage and emulation of synaptic behavior

      Author: Wang, Lu; Li, Wenhao; Wen, Dianzhong

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111911

    • 3、La-doped BiFeO3 junction based random access multilevel nonvolatile memory

      Author: Li, Dong; Zhu, Xiaodong; Wu, Yanan; Zhao, Jian; Zhang, Kaimin; Li, Rui; Hao, Danni; Ma, Yanqing; Moro, Ramiro; Ma, Lei

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111908

    • 4、A dual-mass fully decoupled MEMS gyroscope with optimized structural design for minimizing mechanical quadrature coupling

      Author: Wu, Zhongye; Feng, Ronghui; Sun, Chengliang; Wang, Peng; Wu, Guoqiang

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111918

    • 5、Dynamical analysis, circuit implementation, and simultaneous application of a novel four-dimensional hyperchaotic system based on cosine functions

      Author: Zhang, Jie; Hou, Jinyou; Xu, Longhao; Zhu, Xiaopeng; Xie, Qinggang

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111939

    • 6、Machine learning algorithm for the structural design of MEMS resonators

      Author: Gu, Liutao; Zhang, Weiping; Lu, Haolin; Wu, Yuting; Fan, Chongyang

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111950

    • 7、The insight and evaluation of ultra-scaled sub-1 nm gate length transistors

      Author: Tian, He; Shen, Yang; Yan, Zhaoyi; Liu, Yanming; Wu, Fan; Ren, Tian-Ling

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111963

    • 8、Simulation study of zone-height limit by electron beam lithography for 30 nm Fresnel zone plates in X ray optics

      Author: Chen, Qiucheng; Mu, Chengyang; Tong, Xujie; Zhao, Jun; Wu, Qingxin; Chen, Yifang

      Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111965

    投稿常見問題

    通訊方式:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。

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