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Microelectronic EngineeringSCIE

國際簡稱：MICROELECTRON ENG 參考譯名：微電子工程

中科院分區(qū)
4區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q2
JCR分區(qū)
Q2

基本信息：: ISSN：0167-9317; E-ISSN：1873-5568; 是否OA：未開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區(qū)：NETHERLANDS; 出版商：Elsevier; 出版語言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1983; 研究方向：工程技術-工程：電子與電氣

評價信息：: 影響因子：2.6; H-index：89; CiteScore指數(shù)：5.3; SJR指數(shù)：0.503; SNIP指數(shù)：0.847

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：15.94%; 研究類文章占比：91.00%; 年發(fā)文量：100; 自引率：0.0434...; 開源占比：0.0341; 出版撤稿占比：0; 出版國人文章占比：0.14; OA被引用占比：0.1274...

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Microelectronic Engineering期刊介紹

Microelectronic Engineering is the premier nanoprocessing, and nanotechnology journal focusing on fabrication of electronic, photonic, bioelectronic, electromechanic and fluidic devices and systems, and their applications in the broad areas of electronics, photonics, energy, life sciences, and environment. It covers also the expanding interdisciplinary field of "more than Moore" and "beyond Moore" integrated nanoelectronics / photonics and micro-/nano-/bio-systems. Through its unique mixture of peer-reviewed articles, reviews, accelerated publications, short and Technical notes, and the latest research news on key developments, Microelectronic Engineering provides comprehensive coverage of this exciting, interdisciplinary and dynamic new field for researchers in academia and professionals in industry.

期刊簡介Microelectronic Engineering期刊介紹

《Microelectronic Engineering》自1983出版以來，是一本工程技術優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學研究結果，并為工程技術各個領域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺，以促進工程技術領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或審查多年來某個重要領域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道工程技術領域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間：約6.0個月
工程技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院4區(qū)
非預警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Microelectronic Engineering Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：5.3
SJR：0.503
SNIP：0.847

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics	Q2	127 / 434	70%
大類：Physics and Astronomy 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q2	68 / 224	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	242 / 797	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	87 / 284	69%
大類：Physics and Astronomy 小類：Surfaces, Coatings and Films	Q2	42 / 132	68%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Microelectronic Engineering 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)
工程技術	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Microelectronic Engineering JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	157 / 352	55.5%
學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q3	94 / 140	33.2%
學科：OPTICS	SCIE	Q2	45 / 119	62.6%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	81 / 179	55%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	179 / 354	49.58%
學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q3	74 / 140	47.5%
學科：OPTICS	SCIE	Q3	64 / 120	47.08%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	88 / 179	51.12%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

國家/地區(qū)數(shù)量
CHINA MAINLAND104
South Korea80
France56
USA47
Japan45
GERMANY (FED REP GER)41
India36
Taiwan31
Greece27
Italy27

本刊中國學者近年發(fā)表論文

1、Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures
Author: Luan, Tiantian; Jiang, Qimeng; Huang, Sen; Wang, Xinhua; Jin, Hao; Guo, Fuqiang; Yao, Yixu; Fan, Jie; Yin, Haibo; Wei, Ke; Li, Yankui; Jiang, Haojie; Li, Junfeng; Liu, Xinyu

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111916
2、Soybean-based memristor for multilevel data storage and emulation of synaptic behavior
Author: Wang, Lu; Li, Wenhao; Wen, Dianzhong

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111911
3、La-doped BiFeO3 junction based random access multilevel nonvolatile memory
Author: Li, Dong; Zhu, Xiaodong; Wu, Yanan; Zhao, Jian; Zhang, Kaimin; Li, Rui; Hao, Danni; Ma, Yanqing; Moro, Ramiro; Ma, Lei

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 267, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111908
4、A dual-mass fully decoupled MEMS gyroscope with optimized structural design for minimizing mechanical quadrature coupling
Author: Wu, Zhongye; Feng, Ronghui; Sun, Chengliang; Wang, Peng; Wu, Guoqiang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 269, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2022.111918
5、Dynamical analysis, circuit implementation, and simultaneous application of a novel four-dimensional hyperchaotic system based on cosine functions
Author: Zhang, Jie; Hou, Jinyou; Xu, Longhao; Zhu, Xiaopeng; Xie, Qinggang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111939
6、Machine learning algorithm for the structural design of MEMS resonators
Author: Gu, Liutao; Zhang, Weiping; Lu, Haolin; Wu, Yuting; Fan, Chongyang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 271, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111950
7、The insight and evaluation of ultra-scaled sub-1 nm gate length transistors
Author: Tian, He; Shen, Yang; Yan, Zhaoyi; Liu, Yanming; Wu, Fan; Ren, Tian-Ling

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111963
8、Simulation study of zone-height limit by electron beam lithography for 30 nm Fresnel zone plates in X ray optics
Author: Chen, Qiucheng; Mu, Chengyang; Tong, Xujie; Zhao, Jun; Wu, Qingxin; Chen, Yifang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2023; Vol. 273, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2023.111965