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Ieee Transactions On Electron DevicesSCIE

國(guó)際簡(jiǎn)稱：IEEE T ELECTRON DEV 參考譯名：IEEE Transactions On Electron Devices

中科院分區(qū)
2區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q2
JCR分區(qū)
Q2

基本信息：: ISSN：0018-9383; E-ISSN：1557-9646; 是否OA：未開放; 是否預(yù)警：否; TOP期刊：是

出版信息：: 出版地區(qū)：UNITED STATES; 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.; 出版語(yǔ)言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1954; 研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣

評(píng)價(jià)信息：: 影響因子：2.9; H-index：165; CiteScore指數(shù)：5.8; SJR指數(shù)：0.785; SNIP指數(shù)：1.223

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：6.38%; 研究類文章占比：100.00%; 年發(fā)文量：1084; 自引率：0.1612...; 開源占比：0.0674; 出版撤稿占比：0; 出版國(guó)人文章占比：0.22; OA被引用占比：0.0017...

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英文簡(jiǎn)介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見(jiàn)問(wèn)題

英文簡(jiǎn)介Ieee Transactions On Electron Devices期刊介紹

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

期刊簡(jiǎn)介Ieee Transactions On Electron Devices期刊介紹

《Ieee Transactions On Electron Devices》自1954出版以來(lái)，是一本工程技術(shù)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果，并為工程技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個(gè)展示平臺(tái)，以促進(jìn)工程技術(shù)領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵(lì)先進(jìn)的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見(jiàn)解，或?qū)彶槎嗄陙?lái)某個(gè)重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時(shí)報(bào)道工程技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單，目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄，得到了廣泛的認(rèn)可。

該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn)：

預(yù)計(jì)審稿時(shí)間：約4.7個(gè)月
國(guó)際TOP期刊
工程技術(shù)
PHYSICS, APPLIED
SCIE
中科院2區(qū)
非預(yù)警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Ieee Transactions On Electron Devices Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：5.8
SJR：0.785
SNIP：1.223

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	221 / 797	72%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 284	71%

CiteScore 是由Elsevier(愛(ài)思唯爾)推出的另一種評(píng)價(jià)期刊影響力的文獻(xiàn)計(jì)量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)中收集的引文為基礎(chǔ)，針對(duì)的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評(píng)價(jià)期刊影響力的方法，而不僅僅是通過(guò)影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)。

歷年Cite Score趨勢(shì)圖

中科院SCI分區(qū)Ieee Transactions On Electron Devices 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級(jí)版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，運(yùn)用科學(xué)計(jì)量學(xué)方法對(duì)國(guó)際、國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級(jí)劃分的期刊評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。它為我國(guó)科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評(píng)價(jià)國(guó)際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國(guó)各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個(gè)層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個(gè)分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報(bào)領(lǐng)域的研究和期刊評(píng)估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

JCR分區(qū)Ieee Transactions On Electron Devices JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢(shì)在于它可以幫助讀者對(duì)學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異，此時(shí)單獨(dú)依靠影響因子(IF)評(píng)價(jià)期刊的質(zhì)量可能是存在一定問(wèn)題的。因此，JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢(shì)圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)

國(guó)家/地區(qū)數(shù)量
CHINA MAINLAND741
USA455
India399
Taiwan232
South Korea181
GERMANY (FED REP GER)149
Japan123
Italy111
France110
England100

本刊中國(guó)學(xué)者近年發(fā)表論文

1、Suppression of Mode Competition in a Triaxial Klystron Amplifier With an Improved Three-Gap Bunching Cavity
Author: Yang, Fuxiang; Ge, Xingjun; Dang, Fangchao; He, Juntao; Ju, Jinchuan; Zhang, Xiaoping; Zhou, Yunxiao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3263151
2、Surface-Potential-Based Drain Current Model for Ambipolar Organic TFTs
Author: He, Hongyu; Yin, Junli; Lin, Xinnan; Zhang, Shengdong

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3264718
3、Electrical Performance Enhancement and Low-Frequency Noise Estimation of In2O3-Based Thin Film Transistor Based on Doping Engineering
Author: Wu, Xiaoyu; He, Gang; Wang, Wenhao; Wang, Leini; Xu, Xiaofen; Gao, Qian; Liu, Yanmei; Jiang, Shanshan

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 105-112. DOI: 10.1109/TED.2022.3220482
4、Investigation of the Progressive Gate Breakdown Behaviors in p-GaN Gate HEMTs
Author: Chao, Xin; Tang, Chengkang; Tan, Jingjing; Wang, Chen; Sun, QingQing; Zhang, David Wei

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 25-30. DOI: 10.1109/TED.2022.3220498
5、A Datasheet-Driven Nonsegmented Empirical SPICE Model of SiC MOSFET With Improved Accuracy and Convergence Capability
Author: Yang, Tongtong; Li, Xianbing; Yin, Sen; Wang, Yan; Yue, Ruifeng

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 4-12. DOI: 10.1109/TED.2022.3220481
6、A Refined Ladder Transmission Line Model for the Extraction of Significantly Low Specific Contact Resistivity
Author: Sun, Xianglie; Luo, Jun; Liu, Yaodong; Xu, Jing; Gao, Jianfeng; Liu, Jinbiao; Zhou, Xuebing; He, Yanping; Kong, Mengjuan; Li, Yongliang; Li, Junfeng; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 209-214. DOI: 10.1109/TED.2022.3221380
7、Analysis of Breakdown-Voltage Increase on SiC Junction Barrier Schottky Diode Under Negative Bias Stress
Author: Jin, Fu-Yuan; Chen, Po-Hsun; Hung, Wei-Chun; Hung, Wei-Chieh; Chang, Chin-Han; Ciou, Fong-Min; Lin, Yu-Shan; Chang, Kai-Chun; Lin, Yun-Hsuan; Kuo, Ting-Tzu; Chen, Kuan-Hsu; Yeh, Chien-Hung; Chang, Ting-Chang

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 191-195. DOI: 10.1109/TED.2022.3223645
8、Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel
Author: Wu, Lijuan; Song, Xuanting; Zhang, Banghui; Liu, Heng; Liu, Qing; Liu, Yangzhi; Qiu, Tao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 185-190. DOI: 10.1109/TED.2022.3223325