當(dāng)前位置: 首頁(yè) JCRQ2 期刊介紹(非官網(wǎng))
    Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

    Ieee Transactions On Device And Materials ReliabilitySCIE

    國(guó)際簡(jiǎn)稱:IEEE T DEVICE MAT RE  參考譯名:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

    • 中科院分區(qū)

      3區(qū)

    • CiteScore分區(qū)

      Q2

    • JCR分區(qū)

      Q2

    基本信息:
    ISSN:1530-4388
    E-ISSN:1558-2574
    是否OA:未開(kāi)放
    是否預(yù)警:否
    TOP期刊:否
    出版信息:
    出版地區(qū):UNITED STATES
    出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
    出版語(yǔ)言:English
    出版周期:Quarterly
    出版年份:2001
    研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
    評(píng)價(jià)信息:
    影響因子:2.5
    H-index:63
    CiteScore指數(shù):4.8
    SJR指數(shù):0.436
    SNIP指數(shù):1.148
    發(fā)文數(shù)據(jù):
    Gold OA文章占比:24.52%
    研究類文章占比:97.22%
    年發(fā)文量:72
    自引率:0.05
    開(kāi)源占比:0.057
    出版撤稿占比:0
    出版國(guó)人文章占比:0.14
    OA被引用占比:0
    英文簡(jiǎn)介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見(jiàn)問(wèn)題

    英文簡(jiǎn)介Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊介紹

    The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

    期刊簡(jiǎn)介Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊介紹

    《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》自2001出版以來(lái),是一本工程技術(shù)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果,并為工程技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個(gè)展示平臺(tái),以促進(jìn)工程技術(shù)領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵(lì)先進(jìn)的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見(jiàn)解,或?qū)彶槎嗄陙?lái)某個(gè)重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時(shí)報(bào)道工程技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單,目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄,得到了廣泛的認(rèn)可。

    該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn):

    Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Ieee Transactions On Device And Materials Reliability Cite Score數(shù)據(jù)

    • CiteScore:4.8
    • SJR:0.436
    • SNIP:1.148
    學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
    大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

    68%

    大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

    65%

    大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

    63%

    CiteScore 是由Elsevier(愛(ài)思唯爾)推出的另一種評(píng)價(jià)期刊影響力的文獻(xiàn)計(jì)量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)中收集的引文為基礎(chǔ),針對(duì)的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評(píng)價(jià)期刊影響力的方法,而不僅僅是通過(guò)影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)。

    歷年Cite Score趨勢(shì)圖

    中科院SCI分區(qū)Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 中科院分區(qū)

    中科院 2023年12月升級(jí)版 綜述期刊:否 Top期刊:否
    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū)
    工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

    中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),運(yùn)用科學(xué)計(jì)量學(xué)方法對(duì)國(guó)際、國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級(jí)劃分的期刊評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。它為我國(guó)科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評(píng)價(jià)國(guó)際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國(guó)各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

    中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個(gè)層次,類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開(kāi)始,這個(gè)分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報(bào)領(lǐng)域的研究和期刊評(píng)估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

    歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

    JCR分區(qū)Ieee Transactions On Device And Materials Reliability JCR分區(qū)

    2023-2024 年最新版
    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

    53.3%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

    51.7%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

    47.6%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

    44.97%

    JCR分區(qū)的優(yōu)勢(shì)在于它可以幫助讀者對(duì)學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異,此時(shí)單獨(dú)依靠影響因子(IF)評(píng)價(jià)期刊的質(zhì)量可能是存在一定問(wèn)題的。因此,JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

    歷年影響因子趨勢(shì)圖

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2023-2024 年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
    • 國(guó)家/地區(qū)數(shù)量
    • USA52
    • CHINA MAINLAND51
    • India50
    • Taiwan35
    • France20
    • Italy18
    • Belgium15
    • Austria14
    • Japan13
    • GERMANY (FED REP GER)12

    本刊中國(guó)學(xué)者近年發(fā)表論文

    • 1、Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO 2 by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications

      Author: eexdhuang

      Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016.

    • 2、Prediction of NBTI Degradation in Dynamic Voltage Frequency Scaling Operations

      Author: xjli

      Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016.

    投稿常見(jiàn)問(wèn)題

    通訊方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

    主站蜘蛛池模板: 无码精品前田一区二区| 亚洲国产一区视频| 中文字幕一区二区三区有限公司| 久久国产精品一区免费下载| 日韩精品一区二区三区毛片| 无码少妇一区二区性色AV | 中文字幕日本一区| 国模无码一区二区三区| 亚洲综合无码一区二区三区| 一区二区三区人妻无码| 精品国产AⅤ一区二区三区4区| 相泽南亚洲一区二区在线播放 | 亚洲av片一区二区三区| 精品国产日韩亚洲一区在线| 精品一区高潮喷吹在线播放| 无码AV天堂一区二区三区| 一夲道无码人妻精品一区二区| 东京热无码av一区二区| 久久99精品免费一区二区| 一区二区在线视频观看| 日本一区二区在线不卡| 内射白浆一区二区在线观看 | 亚洲成AV人片一区二区| 亚洲一区二区视频在线观看| 一区二区三区视频免费| 国产另类ts人妖一区二区三区| 一区二区免费国产在线观看| 高清无码一区二区在线观看吞精| 精品在线一区二区| 国产精品无码不卡一区二区三区| 亚洲高清成人一区二区三区| 国产一区二区三区乱码在线观看| 少妇无码一区二区二三区| 日本在线视频一区二区| 国产婷婷一区二区三区| 视频一区视频二区在线观看| 国产激情无码一区二区app| 国产乱码精品一区二区三| 国模无码一区二区三区不卡| 久久精品国产一区二区三| 亚洲av乱码一区二区三区|