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    Solid-state Electronics

    Solid-state ElectronicsSCIE

    國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng):SOLID STATE ELECTRON  參考譯名:固態(tài)電子

    • 中科院分區(qū)

      4區(qū)

    • CiteScore分區(qū)

      Q3

    • JCR分區(qū)

      Q3

    基本信息:
    ISSN:0038-1101
    E-ISSN:1879-2405
    是否OA:未開(kāi)放
    是否預(yù)警:否
    TOP期刊:否
    出版信息:
    出版地區(qū):UNITED STATES
    出版商:Elsevier Ltd
    出版語(yǔ)言:English
    出版周期:Monthly
    出版年份:1960
    研究方向:物理-工程:電子與電氣
    評(píng)價(jià)信息:
    影響因子:1.4
    H-index:87
    CiteScore指數(shù):3
    SJR指數(shù):0.348
    SNIP指數(shù):0.655
    發(fā)文數(shù)據(jù):
    Gold OA文章占比:18.40%
    研究類(lèi)文章占比:99.43%
    年發(fā)文量:175
    自引率:0.0588...
    開(kāi)源占比:0.0803
    出版撤稿占比:0
    出版國(guó)人文章占比:0.16
    OA被引用占比:0.0126...
    英文簡(jiǎn)介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見(jiàn)問(wèn)題

    英文簡(jiǎn)介Solid-state Electronics期刊介紹

    It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

    期刊簡(jiǎn)介Solid-state Electronics期刊介紹

    《Solid-state Electronics》自1960出版以來(lái),是一本物理與天體物理優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果,并為物理與天體物理各個(gè)領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個(gè)展示平臺(tái),以促進(jìn)物理與天體物理領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵(lì)先進(jìn)的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見(jiàn)解,或?qū)彶槎嗄陙?lái)某個(gè)重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時(shí)報(bào)道物理與天體物理領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單,目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄,得到了廣泛的認(rèn)可。

    該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn):

    Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Solid-state Electronics Cite Score數(shù)據(jù)

    • CiteScore:3
    • SJR:0.348
    • SNIP:0.655
    學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
    大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

    47%

    大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

    43%

    大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Materials Chemistry Q3 182 / 317

    42%

    大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

    40%

    CiteScore 是由Elsevier(愛(ài)思唯爾)推出的另一種評(píng)價(jià)期刊影響力的文獻(xiàn)計(jì)量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)中收集的引文為基礎(chǔ),針對(duì)的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評(píng)價(jià)期刊影響力的方法,而不僅僅是通過(guò)影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)。

    歷年Cite Score趨勢(shì)圖

    中科院SCI分區(qū)Solid-state Electronics 中科院分區(qū)

    中科院 2023年12月升級(jí)版 綜述期刊:否 Top期刊:否
    大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū)
    物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

    中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),運(yùn)用科學(xué)計(jì)量學(xué)方法對(duì)國(guó)際、國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級(jí)劃分的期刊評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。它為我國(guó)科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評(píng)價(jià)國(guó)際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國(guó)各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

    中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個(gè)層次,類(lèi)似于“優(yōu)、良、及格”等。最開(kāi)始,這個(gè)分區(qū)只是為了方便圖書(shū)管理及圖書(shū)情報(bào)領(lǐng)域的研究和期刊評(píng)估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

    歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

    JCR分區(qū)Solid-state Electronics JCR分區(qū)

    2023-2024 年最新版
    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

    26.6%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

    23.2%

    學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

    23.4%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

    26.41%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

    25.98%

    學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

    32.28%

    JCR分區(qū)的優(yōu)勢(shì)在于它可以幫助讀者對(duì)學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異,此時(shí)單獨(dú)依靠影響因子(IF)評(píng)價(jià)期刊的質(zhì)量可能是存在一定問(wèn)題的。因此,JCR將期刊按照學(xué)科門(mén)類(lèi)和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

    歷年影響因子趨勢(shì)圖

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2023-2024 年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
    • 國(guó)家/地區(qū)數(shù)量
    • South Korea131
    • CHINA MAINLAND104
    • France76
    • USA53
    • GERMANY (FED REP GER)36
    • India24
    • Spain21
    • England17
    • Belgium16
    • Japan16

    本刊中國(guó)學(xué)者近年發(fā)表論文

    • 1、Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device

      Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M.

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108504

    • 2、New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications

      Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108495

    • 3、Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation

      Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T.

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108503

    • 4、Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process

      Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108486

    • 5、On the feasibility of DoS-engineering for achieving sub-60 mV subthreshold slope in MOSFETs

      Author: Gonzalez-Medina, Jose Maria; Stanojevic, Zlatan; Hou, Zhaozhao; Zhang, Qiang; Li, Wei; Xu, Jeffrei; Karner, Markus

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108494

    • 6、Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics

      Author: Fei Yu, Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, Junkai Huang

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.029

    • 7、Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment

      Author: Mengjun Li, Jinyan Wang, Hongyue Wang, Qirui Cao, Jingqian Liu, Chengyu Huang

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.067

    • 8、SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: in situ fabrication and enhanced gas sensing performance

      Author: Kunquan Chen, Shijian Chen, Mingyu Pi, Dingke Zhang

      Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.024

    投稿常見(jiàn)問(wèn)題

    通訊方式:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。

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