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Technical Physics LettersSCIE

國際簡稱：TECH PHYS LETT+ 參考譯名：技術(shù)物理快報

中科院分區(qū)
4區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q3
JCR分區(qū)
Q4

基本信息：: ISSN：1063-7850; E-ISSN：1090-6533; 是否OA：未開放; 是否預(yù)警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區(qū)：RUSSIA; 出版商：Pleiades Publishing; 出版語言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1997; 研究方向：物理-物理：應(yīng)用

評價信息：: 影響因子：0.8; H-index：29; CiteScore指數(shù)：1.5; SJR指數(shù)：0.362; SNIP指數(shù)：0.355

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：0.22%; 研究類文章占比：100.00%; 年發(fā)文量：162; 自引率：0; 開源占比：0; 出版撤稿占比：; 出版國人文章占比：0; OA被引用占比：0

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Technical Physics Letters期刊介紹

Technical Physics Letters is a companion journal to Technical Physics and offers rapid publication of developments in theoretical and experimental physics with potential technological applications. Recent emphasis has included many papers on gas lasers and on lasing in semiconductors, as well as many reports on high Tc superconductivity. The excellent coverage of plasma physics seen in the parent journal, Technical Physics, is also present here with quick communication of developments in theoretical and experimental work in all fields with probable technical applications. Topics covered are basic and applied physics; plasma physics; solid state physics; physical electronics; accelerators; microwave electron devices; holography.

期刊簡介Technical Physics Letters期刊介紹

《Technical Physics Letters》自1997出版以來，是一本物理與天體物理優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果，并為物理與天體物理各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺，以促進物理與天體物理領(lǐng)域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見解，或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道物理與天體物理領(lǐng)域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單，目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，得到了廣泛的認(rèn)可。

該期刊投稿重要關(guān)注點：

預(yù)計審稿時間：較快,2-4周
物理與天體物理
PHYSICS, APPLIED
SCIE
中科院4區(qū)
非預(yù)警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Technical Physics Letters Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：1.5
SJR：0.362
SNIP：0.355

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Physics and Astronomy (miscellaneous)	Q3	52 / 81	36%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ)，針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Technical Physics Letters 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)
物理與天體物理	4區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，運用科學(xué)計量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標(biāo)準(zhǔn)。它為我國科研、教育機構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國各地高校、科研機構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Technical Physics Letters JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	165 / 179	8.1%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	172 / 179	4.19%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻質(zhì)量進行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文

1、Dynamics of the gas phase in a fuel-rod assembly simulator with a spacing grid
Author: O. N. Kashinsky, P. D. Lobanov, A. S. Kurdyumov, N. A. Pribaturin, S. E. Volkov

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 653-655, DOI:10.1134/s1063785013070171
2、Synthesis of aligned arrays of “Microropes” of silica nanowires by gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method
Author: E. A. Baranov, A. O. Zamchiy, S. Ya. Khmel

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 1023-1025, DOI:10.1134/s1063785013110163
3、Fabrication of submicrocrystalline structure in solid solutions by radiation-induced phase transition
Author: V. A. Ivchenko

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 442-445, DOI:10.1134/s1063785013050052
4、Features in the formation of Ge/Si multilayer nanostructures under ion-beam-assisted crystallization
Author: S. N. Chebotarev, A. S. Paschenko, L. S. Lunin, V. A. Irkha

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 726-729, DOI:10.1134/s1063785013080178
5、Solid-state field-emission diode
Author: V. A. Bespalov, E. A. Il’ichev, A. E. Kuleshov, D. M. Migunov, R. M. Nabiev, G. N. Petrukhin, G. S. Rychkov, Yu. V. Shcherbakhin

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 206-208, DOI:10.1134/s1063785013020193
6、Optimization of carbothermic synthesis of zinc-oxide micro- and nanorod arrays and their morphometric parameters
Author: N. V. Lyanguzov, E. M. Kaydashev, I. N. Zakharchenko, O. A. Bunina

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 767-770, DOI:10.1134/s1063785013090083
7、Properties of copper-detonation nanodiamond composites obtained by spray drying
Author: E. S. Vasil’eva, S. V. Kidalov, V. V. Sokolov, G. G. Klimov, Ji Puguang

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 137-139, DOI:10.1134/s1063785013010410
8、Work performance in TiNi alloy during heat cycling in the temperature range of B2 ? R martensitic transformation
Author: S. P. Belyaev, N. N. Resnina, K. O. Anshukova

Journal: TECHNICAL PHYSICS LETTERS, 2013, Vol.39, 284-286, DOI:10.1134/s1063785013030188