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    Ecs Journal Of Solid State Science And Technology

    Ecs Journal Of Solid State Science And TechnologySCIE

    國際簡稱:ECS J SOLID STATE SC  參考譯名:ECS固態(tài)科學(xué)與技術(shù)雜志

    • 中科院分區(qū)

      4區(qū)

    • CiteScore分區(qū)

      Q2

    • JCR分區(qū)

      Q3

    基本信息:
    ISSN:2162-8769
    E-ISSN:2162-8777
    是否OA:未開放
    是否預(yù)警:否
    TOP期刊:否
    出版信息:
    出版地區(qū):UNITED STATES
    出版商:Electrochemical Society, Inc.
    出版語言:English
    出版周期:12 issues/year
    出版年份:2012
    研究方向:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY-PHYSICS, APPLIED
    評價(jià)信息:
    影響因子:1.8
    H-index:39
    CiteScore指數(shù):4.5
    SJR指數(shù):0.416
    SNIP指數(shù):0.605
    發(fā)文數(shù)據(jù):
    Gold OA文章占比:14.46%
    研究類文章占比:94.41%
    年發(fā)文量:483
    自引率:0.1363...
    開源占比:0.3211
    出版撤稿占比:0
    出版國人文章占比:0.21
    OA被引用占比:0.0788...
    英文簡介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

    英文簡介Ecs Journal Of Solid State Science And Technology期刊介紹

    The ECS Journal of Solid State Science and Technology (JSS) was launched in 2012, and publishes outstanding research covering fundamental and applied areas of solid state science and technology, including experimental and theoretical aspects of the chemistry and physics of materials and devices.

    JSS has five topical interest areas:

    carbon nanostructures and devices

    dielectric science and materials

    electronic materials and processing

    electronic and photonic devices and systems

    luminescence and display materials, devices and processing.

    期刊簡介Ecs Journal Of Solid State Science And Technology期刊介紹

    《Ecs Journal Of Solid State Science And Technology》自2012出版以來,是一本材料科學(xué)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果,并為材料科學(xué)各個(gè)領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個(gè)展示平臺,以促進(jìn)材料科學(xué)領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵(lì)先進(jìn)的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見解,或?qū)彶槎嗄陙砟硞€(gè)重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時(shí)報(bào)道材料科學(xué)領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單,目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,得到了廣泛的認(rèn)可。

    該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn):

    Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Ecs Journal Of Solid State Science And Technology Cite Score數(shù)據(jù)

    • CiteScore:4.5
    • SJR:0.416
    • SNIP:0.605
    學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
    大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 114 / 284

    60%

    CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價(jià)期刊影響力的文獻(xiàn)計(jì)量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ),針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價(jià)期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來評價(jià)。

    歷年Cite Score趨勢圖

    中科院SCI分區(qū)Ecs Journal Of Solid State Science And Technology 中科院分區(qū)

    中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū)
    材料科學(xué) 4區(qū) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

    中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),運(yùn)用科學(xué)計(jì)量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級劃分的期刊評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。它為我國科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價(jià)國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

    中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個(gè)層次,類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始,這個(gè)分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報(bào)領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

    歷年中科院分區(qū)趨勢圖

    JCR分區(qū)Ecs Journal Of Solid State Science And Technology JCR分區(qū)

    2023-2024 年最新版
    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 312 / 438

    28.9%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 120 / 179

    33.2%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 306 / 438

    30.25%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 128 / 179

    28.77%

    JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異,此時(shí)單獨(dú)依靠影響因子(IF)評價(jià)期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

    歷年影響因子趨勢圖

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
    • 國家/地區(qū)數(shù)量
    • CHINA MAINLAND299
    • USA244
    • Japan128
    • South Korea128
    • Taiwan98
    • India67
    • GERMANY (FED REP GER)47
    • Iran34
    • Belgium28
    • Italy28

    本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文

    • 1、Gelatin-Guided Synthesis of Bowknot-Like CoP Microstructure as an Anode for Lithium-Ion Batteries

      Author: Zhao, Anning; Xiao, Yuan; Luan, Hong; Peng, Ning; Jiang, Jiqiong; Liang, Libo

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acb28d

    • 2、Simulation Study of Enhancement Mode beta-Ga2O3 MOSFET with Ferroelectric Charge Storage Gate Stack Structure

      Author: Yu, Mingyang; Gao, Huhu; Cai, Yuncong; Tian, Xusheng; Zhang, Tao; Zhang, Yuxuan; Feng, Qian; Zhang, Chunfu; Zhang, Jincheng; Hao, Yue

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acae04

    • 3、On The Validity of the Defect- Induced Negative Thermal Quenching of Eu2+-Doped Phosphors

      Author: Yan, Shirun

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acaf16

    • 4、Cleaning Nanoceria Particles by Diluted HNO3 with H2O2 Mixture (NPM) Solution at Different Temperatures

      Author: Wang, Yingjie; Wu, Bingbing; Qiu, Li-Na; Hu, Lianfeng; Cheng, Haijun; Qu, Xin-Ping; Hamada, Satomi; Wada, Yutaka; Hiyama, Hirokuni

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acaeb6

    • 5、Elemental Redistribution During the Crystallization of Ge-Cu-Te Thin Films for Phase-Change Memory

      Author: Wang, Ming; Chen, Leng

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acaee4

    • 6、Effect of Chemical Inhomogeneity on the Dielectric and Impedance Behaviors of Bismuth Sodium Titanate Based Relaxors

      Author: Li, Yujing; Rao, Rongrong; Wang, Yiyi; Du, Huiling; Shi, Jing; Liu, Xiao

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acb28e

    • 7、Design of a 10 kV and 16.5 GW cm(-2) NiO/beta-Ga2O3 Heterojunction Diode on a Complete Wafer with a Positive Beveled-Mesa

      Author: He, Jianfeng; Liao, Fei; Zhu, Kunfeng; Huang, Xuan; Tu, Wen; Li, Hongyu; Jiang, Long

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acb100

    • 8、A Strategy to Optimize Nickel Oxide/Crystalline Silicon Heterocontact of HJT Solar Cells

      Author: Yang, Xudong; Li, Yinlong; Zhao, Junfeng; Zhang, Zhongqing; Zhou, Zhiqiang; Liu, Fangfang; Sun, Yun; Han, Anjun; Liu, Wei

      Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acbcf0

    投稿常見問題

    通訊方式:65 SOUTH MAIN STREET, PENNINGTON, USA, NJ, 08534。

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