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Ecs Journal Of Solid State Science And TechnologySCIE

國際簡稱：ECS J SOLID STATE SC 參考譯名：ECS固態(tài)科學與技術雜志

中科院分區(qū)
4區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q2
JCR分區(qū)
Q3

基本信息：: ISSN：2162-8769; E-ISSN：2162-8777; 是否OA：未開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區(qū)：UNITED STATES; 出版商：Electrochemical Society, Inc.; 出版語言：English; 出版周期：12 issues/year; 出版年份：2012; 研究方向：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY-PHYSICS, APPLIED

評價信息：: 影響因子：1.8; H-index：39; CiteScore指數(shù)：4.5; SJR指數(shù)：0.416; SNIP指數(shù)：0.605

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：14.46%; 研究類文章占比：94.41%; 年發(fā)文量：483; 自引率：0.1363...; 開源占比：0.3211; 出版撤稿占比：0; 出版國人文章占比：0.21; OA被引用占比：0.0788...

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Ecs Journal Of Solid State Science And Technology期刊介紹

The ECS Journal of Solid State Science and Technology (JSS) was launched in 2012, and publishes outstanding research covering fundamental and applied areas of solid state science and technology, including experimental and theoretical aspects of the chemistry and physics of materials and devices.

JSS has five topical interest areas:

carbon nanostructures and devices

dielectric science and materials

electronic materials and processing

electronic and photonic devices and systems

luminescence and display materials, devices and processing.

期刊簡介Ecs Journal Of Solid State Science And Technology期刊介紹

《Ecs Journal Of Solid State Science And Technology》自2012出版以來，是一本材料科學優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學研究結(jié)果，并為材料科學各個領域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺，以促進材料科學領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道材料科學領域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間：
材料科學
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
SCIE
中科院4區(qū)
非預警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Ecs Journal Of Solid State Science And Technology Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：4.5
SJR：0.416
SNIP：0.605

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	114 / 284	60%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Ecs Journal Of Solid State Science And Technology 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)
材料科學	4區(qū)	MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內(nèi)學術期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國各地高校、科研機構(gòu)的廣泛認可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學術期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Ecs Journal Of Solid State Science And Technology JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	312 / 438	28.9%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	120 / 179	33.2%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	306 / 438	30.25%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	128 / 179	28.77%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質(zhì)量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

國家/地區(qū)數(shù)量
CHINA MAINLAND299
USA244
Japan128
South Korea128
Taiwan98
India67
GERMANY (FED REP GER)47
Iran34
Belgium28
Italy28

本刊中國學者近年發(fā)表論文

1、Gelatin-Guided Synthesis of Bowknot-Like CoP Microstructure as an Anode for Lithium-Ion Batteries
Author: Zhao, Anning; Xiao, Yuan; Luan, Hong; Peng, Ning; Jiang, Jiqiong; Liang, Libo

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acb28d
2、Simulation Study of Enhancement Mode beta-Ga2O3 MOSFET with Ferroelectric Charge Storage Gate Stack Structure
Author: Yu, Mingyang; Gao, Huhu; Cai, Yuncong; Tian, Xusheng; Zhang, Tao; Zhang, Yuxuan; Feng, Qian; Zhang, Chunfu; Zhang, Jincheng; Hao, Yue

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acae04
3、On The Validity of the Defect- Induced Negative Thermal Quenching of Eu2+-Doped Phosphors
Author: Yan, Shirun

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acaf16
4、Cleaning Nanoceria Particles by Diluted HNO3 with H2O2 Mixture (NPM) Solution at Different Temperatures
Author: Wang, Yingjie; Wu, Bingbing; Qiu, Li-Na; Hu, Lianfeng; Cheng, Haijun; Qu, Xin-Ping; Hamada, Satomi; Wada, Yutaka; Hiyama, Hirokuni

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acaeb6
5、Elemental Redistribution During the Crystallization of Ge-Cu-Te Thin Films for Phase-Change Memory
Author: Wang, Ming; Chen, Leng

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acaee4
6、Effect of Chemical Inhomogeneity on the Dielectric and Impedance Behaviors of Bismuth Sodium Titanate Based Relaxors
Author: Li, Yujing; Rao, Rongrong; Wang, Yiyi; Du, Huiling; Shi, Jing; Liu, Xiao

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acb28e
7、Design of a 10 kV and 16.5 GW cm(-2) NiO/beta-Ga2O3 Heterojunction Diode on a Complete Wafer with a Positive Beveled-Mesa
Author: He, Jianfeng; Liao, Fei; Zhu, Kunfeng; Huang, Xuan; Tu, Wen; Li, Hongyu; Jiang, Long

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acb100
8、A Strategy to Optimize Nickel Oxide/Crystalline Silicon Heterocontact of HJT Solar Cells
Author: Yang, Xudong; Li, Yinlong; Zhao, Junfeng; Zhang, Zhongqing; Zhou, Zhiqiang; Liu, Fangfang; Sun, Yun; Han, Anjun; Liu, Wei

Journal: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 12, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1149/2162-8777/acbcf0