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Optoelectronics LettersSCIE

國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)：OPTOELECTRON LETT 參考譯名：光電子快報(bào)

中科院分區(qū)
4區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q3
JCR分區(qū)
Q4

基本信息：: ISSN：1673-1905; E-ISSN：1993-5013; 是否OA：未開(kāi)放; 是否預(yù)警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區(qū)：PEOPLES R CHINA; 出版商：Springer Nature; 出版語(yǔ)言：English; 出版周期：12 issues per year; 研究方向：OPTICS

評(píng)價(jià)信息：: 影響因子：0.8; CiteScore指數(shù)：1.5; SJR指數(shù)：0.233; SNIP指數(shù)：0.395

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：0.00%; 研究類(lèi)文章占比：100.00%; 年發(fā)文量：127; 自引率：0.1111...; 開(kāi)源占比：0; 出版撤稿占比：; 出版國(guó)人文章占比：0.85; OA被引用占比：0

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英文簡(jiǎn)介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見(jiàn)問(wèn)題

英文簡(jiǎn)介Optoelectronics Letters期刊介紹

The purpose of this journal is to promote international academic exchange in the fields of Photonics and Optoelectronics in China and abroad, through the rapid reporting of new and important experimental results. This journal will become an important window into Chinese science and technology in the field of photonics/optoelectronics. The scope of this journal covers new functional materials and devices; micro–nano–structure and quantum optoelectronics; optoelectronics information technology; sensing, measurement and inspection; storage and display; image and information processing.

期刊簡(jiǎn)介Optoelectronics Letters期刊介紹

《Optoelectronics Letters》是一本物理與天體物理優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果，并為物理與天體物理各個(gè)領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個(gè)展示平臺(tái)，以促進(jìn)物理與天體物理領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵(lì)先進(jìn)的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見(jiàn)解，或?qū)彶槎嗄陙?lái)某個(gè)重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時(shí)報(bào)道物理與天體物理領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單，目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄，得到了廣泛的認(rèn)可。

該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn)：

預(yù)計(jì)審稿時(shí)間：
物理與天體物理
OPTICS
SCIE
中科院4區(qū)
非預(yù)警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Optoelectronics Letters Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：1.5
SJR：0.233
SNIP：0.395

學(xué)科類(lèi)別	分區(qū)	排名	百分位
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering	Q3	565 / 797	29%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q4	218 / 284	23%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Condensed Matter Physics	Q4	333 / 434	23%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q4	173 / 224	22%

CiteScore 是由Elsevier(愛(ài)思唯爾)推出的另一種評(píng)價(jià)期刊影響力的文獻(xiàn)計(jì)量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)中收集的引文為基礎(chǔ)，針對(duì)的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評(píng)價(jià)期刊影響力的方法，而不僅僅是通過(guò)影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)。

歷年Cite Score趨勢(shì)圖

中科院SCI分區(qū)Optoelectronics Letters 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級(jí)版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類(lèi)學(xué)科	分區(qū)	小類(lèi)學(xué)科	分區(qū)
物理與天體物理	4區(qū)	OPTICS 光學(xué)	4區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，運(yùn)用科學(xué)計(jì)量學(xué)方法對(duì)國(guó)際、國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級(jí)劃分的期刊評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。它為我國(guó)科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評(píng)價(jià)國(guó)際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國(guó)各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個(gè)層次，類(lèi)似于“優(yōu)、良、及格”等。最開(kāi)始，這個(gè)分區(qū)只是為了方便圖書(shū)管理及圖書(shū)情報(bào)領(lǐng)域的研究和期刊評(píng)估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

JCR分區(qū)Optoelectronics Letters JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：OPTICS	ESCI	Q4	104 / 119	13%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：OPTICS	ESCI	Q4	102 / 120	15.42%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢(shì)在于它可以幫助讀者對(duì)學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異，此時(shí)單獨(dú)依靠影響因子(IF)評(píng)價(jià)期刊的質(zhì)量可能是存在一定問(wèn)題的。因此，JCR將期刊按照學(xué)科門(mén)類(lèi)和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢(shì)圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)

國(guó)家/地區(qū)數(shù)量
CHINA MAINLAND263
South Africa10
India9
Australia7
GERMANY (FED REP GER)4
Iran3
USA3
Bangladesh2
Syria2
Canada1

本刊中國(guó)學(xué)者近年發(fā)表論文

1、Computation and analysis of aero-optic imaging deviation of a blunt nosed aircraft with Mach number 0.5-3
Author: Xu, Liang; Zhao, Shiwei; Xue, Wei; Wang, Tao

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 55-59. DOI: 10.1007/s11801-023-2046-9
2、Tuning zinc doping content to optimize optical and structural properties of Cd1-xZnxS buffer layers
Author: Xie, Xin; Xue Yuming; Lu Chaoqun; Wang Yifan; Wen Binbin; Wang Jiangchao

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 25-30. DOI: 10.1007/s11801-023-2112-3
3、High-performance ZnO humidity sensor synthesized by coprecipitation with PVP as surfactant for human respiration detection
Author: Man, Jianping; Gu, Weiyuan; Hu, Ziyan; Dou, Xiaozong; Zhang, Hongyan

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 1-7. DOI: 10.1007/s11801-023-2105-2
4、Construction and performance analysis of variable weight zero cross correlation Latin square code for spectral amplitude coding OCDMA systems
Author: Liu, Yan; Li, Chuanqi; Lu, Ye

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 41-48. DOI: 10.1007/s11801-023-2120-3
5、Fitting objects with implicit polynomials by deep neural network
Author: Liu, Jingyi; Yu, Lina; Sun, Linjun; Tong, Yuerong; Wu, Min; Li, Weijun

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 60-64. DOI: 10.1007/s11801-023-2065-6
6、Numerical study on a frequency-tunable actively mode-locked fiber laser
Author: Lin, Guidao; Chen, Qi; Liu, Jianchao; Wang, Zhenhong

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 20-24. DOI: 10.1007/s11801-023-2156-4
7、Reflectivity measurement technology of special high reflective mirrors and uncertainty analysis of measurement results
Author: Liang, Xiaolin; Zhou, Songqing; Li, Xiaowu; Zhou, Ling; Chen, Huihuang

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 49-54. DOI: 10.1007/s11801-023-2129-7
8、128 Gbit/s high speed optical interconnection networks in data centers by a 30 GHz Mach-Zehnder modulator
Author: Fu, Jiajia; Shi, Zhan; Zhang, Zhengfeng

Journal: OPTOELECTRONICS LETTERS. 2023; Vol. 19, Issue 1, pp. 36-40. DOI: 10.1007/s11801-023-2119-9