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Journal Of SemiconductorsSCIE

國際簡稱：J SEMICOND 參考譯名：半導體學報

中科院分區
4區
CiteScore分區
Q1
JCR分區
Q2

基本信息：: ISSN：1674-4926; E-ISSN：1674-4926; 是否OA：未開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區：PEOPLES R CHINA; 出版商：Institute of Physics Publishing; 出版語言：English; 出版周期：12 issues/year; 研究方向：PHYSICS, CONDENSED MATTER

評價信息：: 影響因子：4.8; CiteScore指數：6.7; SJR指數：0.856; SNIP指數：0.799

發文數據：: Gold OA文章占比：0.00%; 研究類文章占比：68.70%; 年發文量：115; 自引率：0.0980...; 開源占比：0; 出版撤稿占比：; 出版國人文章占比：0; OA被引用占比：0

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數據中科院SCI分區 JCR分區發文數據常見問題

英文簡介Journal Of Semiconductors期刊介紹

Founded in 1980, it is an academic journal sponsored by the Chinese Society of Electronics and the Institute of Semiconductors of the Chinese Academy of Sciences. It reports on the latest scientific research achievements and technological progress in semiconductor physics, semiconductor science and technology, and related scientific and technological fields, including semiconductor superlattice and microstructure physics, semiconductor material physics, growth and property testing of new semiconductor materials including quantum dots and quantum wires, semiconductor device physics, CAD design and development of new semiconductor devices and integrated circuits, new processes, semiconductor optoelectronic devices and optoelectronic integration, thin film growth processes, properties and applications related to semiconductor devices, etc. This journal is different from physics and electronics journals in that it focuses on semiconductors and related materials, covering physics, materials, devices, applications, research, and technological development. It is a comprehensive academic journal that spans both physics and information science disciplines. Published articles in both Chinese and English in the Journal of Semiconductors. The Journal of Semiconductors has been indexed by four major search systems in the world, including the American Engineering Index (EI), Chemical Abstracts (CA), Scientific Abstracts (SA), and Russian Abstracts Journal (パЖ).

期刊簡介Journal Of Semiconductors期刊介紹

《Journal Of Semiconductors》是一本物理與天體物理優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果，并為物理與天體物理各個領域的原創研究提供一個展示平臺，以促進物理與天體物理領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道物理與天體物理領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數據庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間：
物理與天體物理
PHYSICS, CONDENSED MATTER
SCIE
中科院4區
非預警

Cite Score數據（2024年最新版）Journal Of Semiconductors Cite Score數據

CiteScore：6.7
SJR：0.856
SNIP：0.799

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics	Q1	84 / 434	80%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	66 / 284	76%
大類：Physics and Astronomy 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q1	185 / 797	76%
大類：Physics and Astronomy 小類：Materials Chemistry	Q2	81 / 317	74%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區Journal Of Semiconductors 中科院分區

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區	小類學科	分區
物理與天體物理	4區	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區

中科院分區表 是以客觀數據為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據，得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次，類似于“優、良、及格”等。最開始，這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區趨勢圖

JCR分區Journal Of Semiconductors JCR分區

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	ESCI	Q2	22 / 79	72.8%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	ESCI	Q2	37 / 79	53.8%

JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區，這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

本刊中國學者近年發表論文

1、Electromechanical and photoelectric properties of a novel semiconducting Janus InGaSSe monolayer
Author: Zhong, Li; Li, Xiaobao; Wang, Wei; Xiao, Xinle

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012701
2、Gate tunable spatial accumulation of valley-spin in chemical vapor deposition grown 40 degrees-twisted bilayer WS2
Author: Zhao, Siwen; Shao, Gonglei; Han, Zheng Vitto; Liu, Song; Zhang, Tongyao

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012001
3、The twisted two-dimensional ferroelectrics
Author: Zhang, Xinhao; Peng, Bo

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011002
4、Review of phonons in moire superlattices
Author: Li, Zhenyao; Lai, Jia-Min; Zhang, Jun

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011902
5、75 GHz germanium waveguide photodetector with 64 Gbps data rates utilizing an inductive-gain-peaking technique
Author: Li, Xiuli; Zhu, Yupeng; Liu, Zhi; Peng, Linzhi; Liu, Xiangquan; Niu, Chaoqun; Zheng, Jun; Zuo, Yuhua; Cheng, Buwen

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012301
6、Interface engineering in two-dimensional heterostructures towards novel emitters
Author: Li, Hua; Ling, Jinyang; Lin, Jiamin; Lu, Xin; Xu, Weigao

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011001
7、Recent progress on fabrication and flat-band physics in 2D transition metal dichalcogenides moire superlattices
Author: Huang, Xinyu; Han, Xu; Dai, Yunyun; Xu, Xiaolong; Yan, Jiahao; Huang, Mengting; Ding, Pengfei; Zhang, Decheng; Chen, Hui; Laxmi, Vijay; Wu, Xu; Liu, Liwei; Wang, Yeliang; Xu, Yang; Huang, Yuan

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011901
8、Interaction of moire excitons with cavity photons in two-dimensional semiconductor hetero-bilayers
Author: Gao, Yuchen; Ye, Yu

Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011903